磁控濺射麻豆专区1区二区 種類很多。各有不同作業原理和使用對象。但有一共同點：使用磁場與電場交互作用，使電子在靶外表鄰近成螺旋狀運行，然後電子撞擊氬氣發生離子的概率。所發生的離子在電場作用下撞向靶麵然後濺射出靶材。

靶源分平衡式和非平衡式，平衡式靶源麻豆专区1区二区均勻，非平衡式靶源麻豆专区1区二区膜層和基體結合力強。平衡靶源多用於半導體光學膜，非平衡多用於磨損裝飾膜。磁控陰依照磁場位形分布不同，大致可分為平衡態磁控陰和非平衡態磁控陰。平衡態磁控陰內外磁鋼的磁通量大致持平，南北磁力線閉合於靶麵，很好地將電子/等離子體束縛在靶麵鄰近，添加了磕碰幾率，進步了離化功率，因而在較低的作業氣壓和電壓下就能起輝並維持輝光放電，靶材使用率相對較高。

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