磁控濺射麻豆专区1区二区是物理氣相沉積的一種，在實際運用中，如果操作不當，機器故障，就會出現“靶中毒”現象。 如：靶材電壓低於正常值，濺射速度也會隨之下降；靶材表麵出現一層灰白色，大概率是氧化物覆蓋；PVD真空爐內壁上出現了絕緣層，會導致原子到達陽極後無法進入，陽極消失；還有黑色L值30以下的膜層，而這種膜層的形成需要很高的碳元素，工藝穩定性比較差，極易出現“靶中毒”

     那如何避免及解決“靶中毒”呢？

     第一，目前較好的解決方案是采用中頻磁控濺射麻豆专区1区二区技術，結合漸進式進氣方式，可以很好的解決“靶中毒”產生的高壓擊穿放電，也不會出現陽極消失

     第二，控製反應氣體通入速度，提前計算好靶中毒遲滯曲線，嚴格控製反應氣體流量，防止靶材金屬態到化合物狀態的突變，降低膜層顏色偏紅、偏綠的現象

    第四，長期放置易氧化的靶材進行處理後再濺射

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